IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

    構(gòu)成本土 IGBT 市場需求主體主要為智能電網(wǎng)、高鐵建設(shè)、電機(jī)節(jié)能與家電節(jié)能這四大領(lǐng)域。中國在智能電網(wǎng)與高鐵建設(shè)領(lǐng)域擁有國際領(lǐng)先技術(shù)，這些領(lǐng)域?qū)?IGBT國產(chǎn)化需求迫切，而這種國產(chǎn)化突破更包含了 IGBT 技術(shù)的突破（該領(lǐng)域 IGBT 技術(shù)壁壘最高）。家電節(jié)能以空調(diào)、冰箱與洗衣機(jī)為主，這些領(lǐng)域中國家電企業(yè)已經(jīng)具備一定的國際競爭力，更為 IGBT 國產(chǎn)化掃清了認(rèn)知障礙。因此，龐大的市場基礎(chǔ)與需求方對(duì) IGBT 技術(shù)國產(chǎn)化的迫切需求共同推動(dòng)中國本土企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，加速我國 IGBT 國產(chǎn)化進(jìn)程：

    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2017-2022年中國IGBT功率模塊市場深度調(diào)研與投資前景研究報(bào)告》，我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進(jìn)展，雖然仍需大量進(jìn)口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)�；�生產(chǎn)能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬只，2015年增長至498萬只。

2010-2015年我國IGBT功率電器產(chǎn)量（萬只）

資料來源：資料整理

    我國IGBT技術(shù)取得一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國南車建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，具備年產(chǎn)12萬片芯片、并配套形成年產(chǎn)100萬只IGBT模塊的自動(dòng)化封裝測(cè)試能力，芯片與模塊電壓范圍實(shí)現(xiàn)從650V到6500V的全覆蓋。去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測(cè)試，6500V芯片也已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內(nèi)生產(chǎn)，國產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場，占全球市場的40%以上，未來一段時(shí)期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費(fèi)市場目前約80億元的規(guī)模（全球市場約300億元），到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。

    在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內(nèi)IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動(dòng)力，市場持續(xù)快速增長。2015年，國內(nèi)IGBT市場規(guī)模達(dá)94.8億元。近幾年我國IGBT市場規(guī)模情況如下圖所示：

2008-2015年我國IGBT市場規(guī)模情況
 

資料來源：資料整理

    IGBT一方面擁有新技術(shù)帶來的廣闊的市場空間，另一方面從技術(shù)發(fā)展路線來看又對(duì)以往的功率器件有一個(gè)逐步替代的作用。目前我國IGBT市場占整個(gè)功率器件市場份額尚不足10%，預(yù)計(jì)未來幾年IGBT市場隨著節(jié)能減排的推進(jìn)將得到快速發(fā)展。未來IGBT模塊在以下幾個(gè)領(lǐng)域?qū)��?huì)有較大的突破。